NCV4276CDT33RKG，线性稳压器安森美优势原装供货

NCP1399ACDR2G
NCP1399是一款用于半桥谐振转换器的电流模式控制器。这款控制器实施了600V栅极驱动器，简化了布局，减少了所需的外部组件数量。内置的欠电压输入功能简化了控制器在所有应用中的实现。在需要PFC前级的应用中，NCP1399具有一个输出来驱动PFC控制器。这个功能结合的Skip模式技术进一步提高了整个应用的轻负载能效。NCP1399提供了一套保护功能，可实现在任何应用中的安全运行。其中包括：过载保护、防止硬开关周期的过电流保护、欠电压检测、开路光耦合器检测、自动死区时间调节、过电压（OVP）和过温（OTP）保护。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
MC74LVXT8051DR2G
NB7NPQ1002MMTTWG
NCP1253BSN100T1G
NCP3335AMN280R2G
NCP380LSNAJAAT1G
NCP45520IMNTWG-L
NCP716BCSN330T1G
NCP716BCSN500T1G
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NCV8405ASTT1G简述：
NCV8405是一款三端子保护的低侧智能分立器件。保护功能包括过流、过热、ESD 和用于过压保护的集成漏极至栅极箝位。该器件适用于恶劣的汽车环境。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NTMFS0D9N03CGT1G
NTMFS1D7N03CGT1G
NTTFD4D0N04HLTWG
NTTFS002N04CLTAG
NTTFS3D7N06HLTWG
NVATS5A113PLZT4G
NVMFD5483NLWFT3G
NVMFD5485NLWFT1G
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NCP1380DDR2G简述：
NCP1380是一款器件，旨在为准谐振转换器供电。该控制器利用专有的谷值锁定系统，随着功率负载变轻而换档并降低开关频率。尽管开关事件总是在漏源谷触发，但仍能实现稳定运行。该系统工作到第 4 谷，并切换到变频模式，确保出色的待机功率性能。为了提高过载情况下的安全性，该控制器包括一个过功率保护 （OPP） 电路，该电路将输送的功率箝位在高压线路上。在安全方面，固定的内部定时器依靠反馈电压来检测故障。定时器结束后，控制器停止并保持选项 A 和 C 的锁定状态，或进入选项 B 和 D 的自动恢复模式。 该控制器特别适用于适配器应用，其引脚可实现组合过压/过热保护（A 和 B 型）或组合掉压/过压保护（C 和 D 型）。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NVMFS4C310NWFT1G
NVMFS6H836NWFT3G
NVMFS6H858NWFT1G
NVMFSW6D1N08HT1G
NVMFWD016N06CT1G
NVMFWD020N06CT1G
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FSA2567UMX简述：
模拟开关（DPDT、SPDT、SPST 和其他配置），用作音频、数据和信号的模拟多路复用器和解复用器。
FSA2567是一款双向、低功率、双双极、，针对双SIM卡的双掷（4PDT）模拟开关多路复用。它经过优化，可用于切换WLAN−SIM数据和控制信号，并将一个通道为电源开关。FSA2567兼容SIM卡和具有10 pF的低导通电容（CON），以确保高速数据传输。VSIM开关路径具有低RON特性确保双SIM卡供电路径中的电压降小。FSA2567包含可将电流降至低的特殊电路当施加到SEL引脚的控制电压较低时的消耗而不是电源电压（VCC）。此功能在以下方面特别有价值超便携应用程序，如手机；允许直接与基带处理器的通用I/O接口。其他应用程序包括中的交换和连接器共享便携式手机、掌上电脑、数码相机、打印机和笔记本电脑计算机。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NVMFWD024N06CT1G
NVMFWS016N06CT1G
NVMFWS020N06CT1G
NVMYS003N08LHTWG
NVMYS2D1N04CLTWG
NVMYS4D1N06CLTWG
PCS3P8504AG-08CR
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MOC3041SR2M概述：
MOC303XM和MOC304XM器件由一个光耦合到单片硅探测器的AlGaAs红外发射二极管组成，该二极管具有零电压交叉双边三端双向可控硅驱动器的功能。
它们设计用于逻辑系统接口中的三端双向可控硅，用于由 115VAC 线路供电的设备，例如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、螺线管和消费电器等。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
FSTUD32450GX_NL
HGTP7N60A4-F102
HUF75545S3ST_NL
LM2574DW-ADJR2G
LV4159T-J-TBM-E
LV4159T-J-TBM-E
MC100LVEL11DTR2
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FDC6330L适用于需要 3V 至 20V 输入和 2.3A 输出电流能力的便携式电子设备中的紧凑型电源管理。该负载开关集成了一个小型 N 沟道功率 MOSFET （Q1），该 MOSFET 在一个微型 SuperSOT-2™ 封装中驱动一个大型 P 沟道功率 MOSFET （Q6）。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NRTS30100MFST3G
NRVBB30H60CTT4G
NRVTS3060MFST3G
NTLJS5D0N03CTAG
NTMFD020N06CT1G
NTMFS4C822NAT1G
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